Download torrent Trapdichte Im Tunneloxid Von GE-Nanoclusterspeichern
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Author: Milena Erenburg
Number of Pages: 96 pages
Published Date: 08 Apr 2011
Publisher: VDM Verlag
Publication Country: Germany
Language: German
ISBN: 9783639343571
Download Link: trapdichte im tunneloxid von ge-nanoclusterspeichern
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Im Zuge der fortlaufenden Skalierung von Halbleiterbauelementen treten bei EEPROMs Zuverl ssigkeitsprobleme auf. Aufgrund von Defekten im Tunneloxid ist besonders bei d nnen Oxiden die Gefahr eines unerw nschten Tunnelns der Ladungstr ger aus dem Floating Gate gegeben. Um dieses zu minimieren, sieht das Nanocluster-Konzept vor, das Floating Gate durch einzelne nanometergro e Cluster aus Silizium oder Germanium zu ersetzen. W hrend Germanium bessere Speichereigenschaften zugesprochen werden, hat dessen Einbau m glicherweise eine erh hte St rstellendichte im Oxid zur Folge. Mit Hilfe der Charge-Pumping-Methode soll berpr ft werden, inwiefern die Herstellung der Ge-Nanocluster einen Einfluss auf die Trapdichte aus bt. Dazu wird ein Tiefenprofil im Tunneloxid der Nanoclusterspeicher erstellt. Aus den Messdaten k nnen mit Hilfe einfacher Modelle die Dichte der Grenzfl chenzust nde und der Volumentraps sowie die Tiefenverteilung der Oxidst rstellen ermittelt werden. Zur Verifikation der Messergebnisse werden zus tzliche Messungen mit der Conductance-Methode durchgef hrt. Diese Untersuchungen erlauben dar ber hinaus Erkenntnisse ber die laterale Verteilung der St rstellen im Oxid.
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Trapdichte Im Tunneloxid Von GE-Nanoclusterspeichern by Milena Erenburg
Author: Milena Erenburg
Number of Pages: 96 pages
Published Date: 08 Apr 2011
Publisher: VDM Verlag
Publication Country: Germany
Language: German
ISBN: 9783639343571
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Im Zuge der fortlaufenden Skalierung von Halbleiterbauelementen treten bei EEPROMs Zuverl ssigkeitsprobleme auf. Aufgrund von Defekten im Tunneloxid ist besonders bei d nnen Oxiden die Gefahr eines unerw nschten Tunnelns der Ladungstr ger aus dem Floating Gate gegeben. Um dieses zu minimieren, sieht das Nanocluster-Konzept vor, das Floating Gate durch einzelne nanometergro e Cluster aus Silizium oder Germanium zu ersetzen. W hrend Germanium bessere Speichereigenschaften zugesprochen werden, hat dessen Einbau m glicherweise eine erh hte St rstellendichte im Oxid zur Folge. Mit Hilfe der Charge-Pumping-Methode soll berpr ft werden, inwiefern die Herstellung der Ge-Nanocluster einen Einfluss auf die Trapdichte aus bt. Dazu wird ein Tiefenprofil im Tunneloxid der Nanoclusterspeicher erstellt. Aus den Messdaten k nnen mit Hilfe einfacher Modelle die Dichte der Grenzfl chenzust nde und der Volumentraps sowie die Tiefenverteilung der Oxidst rstellen ermittelt werden. Zur Verifikation der Messergebnisse werden zus tzliche Messungen mit der Conductance-Methode durchgef hrt. Diese Untersuchungen erlauben dar ber hinaus Erkenntnisse ber die laterale Verteilung der St rstellen im Oxid.
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